活性碳流體化床
應用組合設備:冷凝前置系統+電熱式高溫氧化爐
風量:800CMM
處理物質:Cyclopentanone / PGME / PGMEA / TMAH / IPA
製程:晶圓封測
地點:台灣新竹
應用組合設備:冷凝前置系統+電熱式高溫氧化爐
風量:800CMM
處理物質:Cyclopentanone / PGME / PGMEA / TMAH / IPA
製程:晶圓封測
地點:台灣新竹
應用組合設備:低溫觸媒氧化爐
風量:150CMM
處理物質:IPA / Acetone / PGME / PGMEA / Xylene
製程:晶圓封測
地點:台灣新竹
風量:120,000CMH
處理物質:HF/HCI/NHO3/H3PO4/H2SO4
製程:積體電路
地點:台灣台南
應用組合設備:低溫觸媒氧化爐
風量:400CMM
處理物質:IPA / Acetone / PGME / 甲苯 / 丁酮 / 2-丁氧基乙醇 / 甲基異丁酮 / 環己酮
製程:半導體製程材料
地點:台灣台南
風量:900CMM
處理物質:酸及鹽類
製程:半導體製程材料
地點:台灣新竹
風量: 100CMM
處理物質: H2SO4
製程: 半導體製程材料
地點:台灣新竹